型号: MBR30H150CT-E3/45
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： MBR
单位重量： 1.850 g
工作温度： - 65 C to + 175 C
高度： 8.89 mm
长度： 10.54 mm
类型： Schottky Diode
宽度： 4.7 mm
最大工作温度： + 175 C
最小工作温度： - 65 C
技术： Si
安装风格： Through Hole
配置： Dual Common Cathode
Ir-反向电流： 5 uA
二极管配置： 1 对共阴极
二极管类型： 肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）： 150V
电流-平均整流（Io）（每二极管）： 15A
不同If时的电压-正向（Vf）： 900mV @ 15A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
不同 Vr时的电流-反向漏电流： 5µA @ 150V
工作温度-结： -65°C ~ 175°C
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220AB
封装形式Package： TO-220-3
平均整流电流Io： 30 A
最大反向电压VR： 150 V
正向压降VF： 0.99 V
正向浪涌电流Ifsm： 260 A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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