型号: MC1413DR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： 7 NPN 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）： 500mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 1.6V @ 500µA，350mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 350mA，2V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC
封装形式Package： SOIC
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
封装/外壳： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1.6V @ 500µA，350mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 350mA，2V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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