型号: MCB60I1200TZ-TUB
功能描述: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET TO-268
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 34 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 15mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 160nC @ 20V
Vgs（最大值）: +20V，-5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2790pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA（D3Pak-HV）
封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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