型号: MCH6336-TL-E
功能描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： P
最大连续漏极电流： 5 A
最大漏源电压： 12 V
最大漏源电阻值： 98 m0hms
最大栅阈值电压： 1.4V
最大栅源电压： -10 V、+10 V
封装类型： MCPH
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 6
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.5 W
长度： 2mm
高度： 0.85mm
尺寸： 2 x 1.6 x 0.85mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 6.9 nC @ 4.5 V
最高工作温度： +150 °C
典型关断延迟时间： 72 ns
典型接通延迟时间： 7.4 ns
宽度： 1.6mm
每片芯片元件数目： 1
典型输入电容值@Vds： 660 pF @ -6 V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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