型号: MCH6336-TL-E
功能描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型: P
最大连续漏极电流: 5 A
最大漏源电压: 12 V
最大漏源电阻值: 98 m0hms
最大栅阈值电压: 1.4V
最大栅源电压: -10 V、+10 V
封装类型: MCPH
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 6
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1.5 W
长度: 2mm
高度: 0.85mm
尺寸: 2 x 1.6 x 0.85mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
最高工作温度: +150 °C
典型关断延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 7.4 ns
宽度: 1.6mm
每片芯片元件数目: 1
典型输入电容值@Vds: 660 pF @ -6 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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