型号: MCH6626-TL-E
功能描述: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
制造商: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.6A，1A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 230 毫欧 @ 800mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1.4nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 105pF @ 10V
功率 - 最大值： 800mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
供应商器件封装： 6-MCPH
其它名称： 869-1180-2
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