型号: MCH6663-TL-W
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.8A,1.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 188 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 88pF @ 10V
功率 - 最大值: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SC-88FL/MCPH6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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