型号: MD7IC2012NR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Id-连续漏极电流: 70 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 31.5 dB
输出功率: 1.3 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-WB-14
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 2110 MHz to 2170 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: 935314984528
单位重量: 1.652 g
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