型号: MDD1903RH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD1903RH, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 12.8 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 110 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 36.8 W
最低工作温度： -55 °C
每片芯片元件数目： 1
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 8.8 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 475 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 16.2 ns
典型接通延迟时间： 6.8 ns
宽度： 6.22mm
正向跨导： 17S
最高工作温度： +150 °C
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.39mm
长度： 6.73mm
高度： 2.39mm
正向二极管电压： 1.2V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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