型号: MDD2N60RH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD2N60RH, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 1.9 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 4.5 0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 42 W
典型接通延迟时间： 10.6 ns
典型关断延迟时间： 40.4 ns
典型输入电容值@Vds： 275 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 6.7 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 6.22mm
长度： 6.73mm
高度： 2.39mm
正向跨导： 0.5S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.39mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：张生
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13530356610
Q Q:
联系人：Dream
电话：18124960793
Q Q:
