型号: MDD4N60RH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD4N60RH, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 3.5 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 2 0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 67.5 W
典型接通延迟时间： 12 ns
典型关断延迟时间： 27 ns
典型输入电容值@Vds： 506 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 12.1 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 6.22mm
长度： 6.73mm
高度： 2.39mm
正向跨导： 4S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.39mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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