型号: MDF16N50GTH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDF16N50GTH, 16 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220F封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 16 A
最大漏源电压： 550 V
最大漏源电阻值： 350 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220F
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 49.4 W
典型接通延迟时间： 46 ns
典型关断延迟时间： 96.5 ns
典型输入电容值@Vds： 1724 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 34.9 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 4.93mm
长度： 10.71mm
高度： 16.13mm
正向跨导： 14.8S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 10.71 x 4.93 x 16.13mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：房志明
电话：18033425661
Q Q:
联系人：蔡信亮
电话：13415000122
Q Q:
联系人：夏永
电话：139-26583967
Q Q:
