型号: MDP11N60TH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP11N60TH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11 A
最大漏源电压： 660 V
最大漏源电阻值： 550 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 182 W
长度： 10.67mm
最低工作温度： -55 °C
高度： 16.51mm
每片芯片元件数目： 1
正向跨导： 13S
正向二极管电压： 1.4V
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 38.4 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1700 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 76 ns
典型接通延迟时间： 38 ns
宽度： 4.83mm
尺寸： 10.67 x 4.83 x 16.51mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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