型号: MDP1921TH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1921TH, 153 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 153 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 4.5 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 223 W
宽度： 4.83mm
每片芯片元件数目： 1
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 10.67 x 4.83 x 16.51mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 100 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 6750 pF @ 40 V
典型关断延迟时间： 93 ns
典型接通延迟时间： 30.4 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 10.67mm
高度： 16.51mm
正向跨导： 120S
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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