型号: MDS1100
功能描述:
制造商: Microsemi
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 65V
频率 - 跃迁: 1.03GHz
增益: 8.9dB
功率 - 最大值: 8750W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 20 @ 5A,5V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100A
工作温度: 200°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 55TU-1
供应商器件封装: 55TU-1
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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