型号: MDS5652URH
功能描述: MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDS5652URH, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7.5 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 35 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOIC
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 隔离式
通道模式： 增强
最大功率耗散： 2 W
典型接通延迟时间： 3.8 ns
典型关断延迟时间： 17.4 ns
典型输入电容值@Vds： 460 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs： 11.7 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 2
最低工作温度： -55 °C
宽度： 4mm
长度： 5mm
高度： 1.5mm
正向跨导： 25S
正向二极管电压： 0.75V
尺寸： 5 x 4 x 1.5mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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