型号: MDU1516URH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1516URH, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 47 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 14 m0hms
最大栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： PowerDFN56
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 35.7 W
典型接通延迟时间： 10.3 ns
典型关断延迟时间： 23 ns
典型输入电容值@Vds： 882 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs： 14.6 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 5.1mm
长度： 6.1mm
高度： 1.1mm
正向跨导： 31S
正向二极管电压： 1.1V
尺寸： 6.1 x 5.1 x 1.1mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
JSD INTERNATIONAL(HK)CO.,LIMITED
联系人：钟小姐
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13975550857
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
