型号: MDV1527URH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDV1527URH, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN33封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 29 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 23.7 m0hms
最大栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： PowerDFN33
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 23.5 W
典型接通延迟时间： 5.4 ns
典型关断延迟时间： 14.8 ns
典型输入电容值@Vds： 493 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs： 7.9 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
最高工作温度： +150 °C
宽度： 3.2mm
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
正向跨导： 13.5S
正向二极管电压： 1.1V
尺寸： 3.2 x 3.2 x 0.8mm
高度： 0.8mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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