型号:  MGSF1N03LT1G

功能描述:  MOSFET 30V 2.1A N-Channel

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:  100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  0.69 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.94 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  MGSF1N03L

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.3 mm

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns

典型接通延迟时间:  2.5 ns

单位重量:  8 mg