型号: MHT1004GNR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 15.2 dB
输出功率: 300 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-780G-2L
封装: Reel
工作频率: 2.45 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 833 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: 935322425528
单位重量: 3.081 g
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