型号: MIEB101H1200EH
功能描述: IGBT 模块 IGBT Module H Bridge
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 模块
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
在25 C的连续集电极电流: 183 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 630 W
封装 / 箱体: E3-Pack
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Bulk
系列: MIEB101H1200EH
商标: IXYS
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 5
子类别: IGBTs
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