型号: MJ11032G
功能描述: 达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power NPN
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 120 V
最大直流电集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJ11032
封装: Tray
直流电流增益 hFE 最大值: 18000
高度: 8.51 mm
长度: 38.86 mm
宽度: 26.67 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 50 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
单位重量: 13.835 g
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