型号: MJD122-1G
功能描述: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
制造商: ON Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 8A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 4A，4V
功率 - 最大值: 1.75W
频率 - 跃迁: 4MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: DPAK
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