型号: MJD32BT4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: NPN/PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
功率耗散: 15000 mW
工厂包装数量: 2500
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