型号: MJD45H11
功能描述: Complementary Power Transistors
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60 at 2 A at 1 V
配置: Single
最大工作频率: 90 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
封装: Tube
集电极连续电流: 8 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 20 W
工厂包装数量: 75
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