型号: MJD6039T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2.5V @ 8mA，2A
电流-集电极截止（最大值）： 10µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 500 @ 2A，4V
功率-最大值： 1.75W
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DPAK-3
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 4A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 80V
最高工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： TO-252-3 (DPAK)
系列： MJD6039
品牌： ON Semiconductor
连续集电极电流： 4 A
1000, 500： 直流集电极/增益 hfe 最小值
最低工作温度： - 65 C
标准包装数量： 2500
RoHS： 符合 RoHS
配置： Single
晶体管极性： NPN
集电极-发射极最大电压VCEO： 80 V
发射机-基极电压VEBO： 5 V
功率散耗： 20 W
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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