型号: MJE13004
功能描述: Silicon NPN Power Transistors
制造商: Central Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
最大直流电集电极电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10
最大工作频率: 4 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Box
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 2000 mW
工厂包装数量: 400
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