型号: MJE5851G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 350V 80W PNP
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 350 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
最大直流电集电极电流: 8 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJE5851
高度: 15.75 mm
长度: 10.53 mm
封装: Tube
宽度: 4.83 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15
Pd-功率耗散: 80 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 6 g
联系人：蔡经理，张小姐
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