型号: MJE800STU
功能描述: 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
最大直流电集电极电流: 4 A
最大集电极截止电流: 100 uA
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-126
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJE800
封装: Tube
高度: 11 mm
长度: 8 mm
宽度: 3.25 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min: 750
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 1920
子类别: Transistors
单位重量: 761 mg
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