型号: MJH11020G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN - 达林顿
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 4V @ 150mA,15A
电流-集电极截止(最大值): 1mA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 400 @ 10A,5V
功率-最大值: 150W
频率-跃迁: 3MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: NPN
集电极最大允许电流Ic: 15A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 200V
安装风格: Through Hole
封装/外壳: TO-247
封装/外壳: Tube
集电极连续电流: 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100, 400
最小工作温度: - 65 C
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
功率耗散: 150 W
最大工作温度: + 150 C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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