型号:  MMBF170Q-13-F

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  70 V

Id-连续漏极电流:  500 mA

Rds On-漏源导通电阻:  5.3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

系列:  MMBF170

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  80 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

单位重量:  8 mg