型号: MMBF170Q-13-F
功能描述: MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 70 V
Id-连续漏极电流: 500 mA
Rds On-漏源导通电阻: 5.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
系列: MMBF170
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg
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Q Q:
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