型号:  MMBFJ211

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  JFET

技术:  Si

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  - 25 V

Id-连续漏极电流:  20 mA

最大漏极/栅极电压:  25 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  225 mW

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

工作温度范围:  - 55 C to + 150 C

产品:  RF JFET

系列:  MMBFJ211

类型:  JFET

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  0.006 S to 0.012 S

闸/源截止电压:  - 4.5 V

产品类型:  RF JFET Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  8 mg