型号: MMBT123S
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 45 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 18 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 100 MHz (Min)
最大工作温度: + 150 C
商标: NXP Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150 at 100 mA at 1 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 mW
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18098927738
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
联系人：杨宝林
电话：13902969450
Q Q:
