型号: MMBT2222A-G
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA
制造商: Comchip Technology
制造商: Comchip Technology
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: MMBT2222A
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极连续电流: 600 mA
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 300 MHz
输出功率: -
类型: RF Bipolar Power
商标: Comchip Technology
最大直流电集电极电流: 600 mA
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 112 mg
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