型号: MMBT2369
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 15V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 30µA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 10mA，1V
功率 - 最大值： 350mW
频率 - 跃迁： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3
其它名称： MMBT2369-NDMMBT2369FSTR
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