型号: MMBT5551LT3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 0.06 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA at 5 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
集电极连续电流: 0.6 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 225 mW
工厂包装数量: 10000
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