型号:  MMBT6427LT1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

晶体管类型：  NPN - 达林顿

电流-集电极（Ic）（最大值）：  500mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  1.5V @ 500µA，500mA

电流-集电极截止（最大值）：  1µA

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  20000 @ 100mA，5V

功率-最大值：  225mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23-3（TO-236）

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  NPN

集电极最大允许电流Ic：  0.5A

集电极_发射极击穿电压VCEO：  40V

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-23-3

封装/外壳：  Reel

集电极连续电流：  0.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min：  10000

最小工作温度：  - 55 C

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO：  40 V

发射极 - 基极电压 VEBO：  12 V

最大集电极截止电流：  0.05 uA

功率耗散：  225 mW

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs