型号: MMBTA13LT3G
功能描述: 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
最大直流电集电极电流: 0.3 A
最大集电极截止电流: 0.1 uA
Pd-功率耗散: 225 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23 (Pb-Free)
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MMBTA13L
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 300 mAdc
直流集电极/Base Gain hfe Min: 5000, 10000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 10000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
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