型号:  MMBTA64LT3G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-23 (Pb-Free)

封装/外壳：  Reel

集电极连续电流：  - 500 mAdc

直流集电极/Base Gain hfe Min：  10000, 20000

最小工作温度：  - 55 C

配置：  Single

晶体管极性：  PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO：  30 V

发射极 - 基极电压 VEBO：  10 V

最大直流电集电极电流：  0.5 A

最大集电极截止电流：  0.1 uA

功率耗散：  225 mW

晶体管类型：  PNP - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  30V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  1.5V @ 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  20000 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：  225mW

频率 - 跃迁：  125MHz

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3（TO-236）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs