型号:  MMBTH10RG

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  MMBTH10RG

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:  50

集电极—发射极最大电压 VCEO:  40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  4 V

集电极连续电流:  0.045 A

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  40 V

直流电流增益 hFE 最大值:  120

高度:  0.93 mm

长度:  2.92 mm

工作频率:  450 MHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

宽度:  1.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

增益带宽产品fT:  450 MHz (Min)

最大直流电集电极电流:  0.05 A

Pd-功率耗散:  225 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  8 mg