型号:  MMDF2C02HDR2

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 8-Pin SOIC N T/R

制造商:  on semiconductor

包装：  8SOIC N

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  3.8@N Channel|3.3@P Channel A

RDS -于：  90@10V@N Channel|160@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  7@N Channel|11@N Channel|11@P Channel|19@P Channel ns

典型上升时间：  32@N Channel|58@N Channel|21@P Channel|66@P Channel ns

典型关闭延迟时间：  27@N Channel|17@N Channel|45@P Channel|25@P Channel ns

典型下降时间：  21@N Channel|20@N Channel|36@P Channel|37@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

最大漏源电压：  20

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  90@10V@N Channel|160@10V@P Channel

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  SOIC N

最大功率耗散：  2000

最大连续漏极电流：  3.8@N Channel|3.3@P Channel

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing