型号:  MMDF3N03HDR2

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC T/R

制造商:  ON Semiconductor

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

产品更改通知：  Product Discontinuation 30/Jun/2004

标准包装：  2,500

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4.1A

Rds（最大）@ ID，VGS：  70 mOhm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  16nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  630pF @ 24V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOICN

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

最大漏源电压：  30

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  70@10V

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  SOIC

最大功率耗散：  2000

最大连续漏极电流：  4.1

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing