型号: MMIX1T660N04T4
功能描述: DISC MSFT SMPD PKG-HIPERFETMSFT
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 660A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 850µ 欧姆 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 860nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 44000pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 830W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 24-SMPD
封装/外壳: 24-PowerSMD，21 引线
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