MML60R190PTH规格参数_MML60R190PTH全国代理商/分销商

型号: MML60R190PTH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MML60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型： N
最大连续漏极电流： 20 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 190 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： I2PAK (TO-262)
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 154 W
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 10.29 x 4.63 x 11.05mm
每片芯片元件数目： 1
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 51 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1630 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 146 ns
典型接通延迟时间： 32 ns
宽度： 4.63mm
高度： 11.05mm
长度： 10.29mm
最高工作温度： +150 °C
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs