型号: MML60R190PTH
功能描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MML60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
制造商: MAGNACHIP
通道类型: N
最大连续漏极电流: 20 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 190 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: I2PAK (TO-262)
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 154 W
正向二极管电压: 1.4V
尺寸: 10.29 x 4.63 x 11.05mm
每片芯片元件数目: 1
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 51 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 1630 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 146 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
宽度: 4.63mm
高度: 11.05mm
长度: 10.29mm
最高工作温度: +150 °C
最低工作温度: -55 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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