型号:  MMRF5300NR5

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:  N-Channel

技术:  GaN

Id-连续漏极电流:  70 mA

Vds-漏源极击穿电压:  125 V

增益:  17 dB

输出功率:  60 W

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  OM-270-2

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

工作频率:  2.7 GHz to 3.5 GHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

通道数量:  1 Channel

Pd-功率耗散:  105.3 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 3 V

零件号别名:  935322537528

单位重量:  554.700 mg