型号: MMUN2114LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP - 预偏压
电阻器-基底（R1）（欧姆）： 10k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）： 47k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）： 500nA
功率-最大值： 246mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-3（TO-236）
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： PNP
集电极最大允许电流Ic： 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
峰值直流集电极电流： 100 mA
功率耗散： 246 mW
最大工作温度： + 150 C
封装/外壳： Reel
最小工作温度： - 55 C
配置： Single
晶体管极性： PNP
典型输入电阻器： 10 K0hms
典型电阻器比率： 0.21
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V
集电极连续电流： 0.1 A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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