型号: MPF4393G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 30V
漏源电压（Vdss）： 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 5mA
电压，耦合至电流 - 泄漏 @ Vds（Vgs=0）： 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 500mV
电流，耦合至电压 - 截止（VGS off）@ Id： 10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10pF @ 15V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 100 Ohms
功率 - 最大值： 350mW
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装： TO-92-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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