型号: MPSH10P
功能描述: NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR
制造商: Diodes Inc.
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
最大直流电集电极电流: 0.025 A
配置: Single
最大工作频率: 650 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 500 mW
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