型号:  MR0A08BCYS35

功能描述:   NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

制造商:  Everspin Technologies

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  135

格式 - 记忆：  RAM

Memory 型 ：  MRAM (Magnetoresistive RAM)

内存大小 ：  1M (128K x 8)

速度 ：  35ns

接口 ：  Parallel (Byte-wide)

- 电源电压：  3 V ~ 3.6 V

操作温度 ：  -40°C ~ 85°C

包/盒 ：  44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

供应商器件封装：  44-TSOP II

包装材料 ：  Tray

安装：  Surface Mount

包装宽度：  10.29(Max)

组织：  128Kx8

PCB：  44

筛选等级：  Industrial

类型：  MRAM

典型工作电源电压：  3.3

欧盟RoHS指令：  Compliant

密度：  1M

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  TSOP-II

标准包装名称：  TSOP

最高工作温度：  85

数据总线宽度：  8

接口类型：  Parallel

包装长度：  18.54(Max)

最低工作电源电压：  3

引脚数：  44

最大工作电流：  70

包装高度：  1.05(Max)

最大随机存取时间：  35

封装：  Tray

最大工作电源电压：  3.6

铅形状：  Gull-wing

格式 - 存储器：  RAM

标准包装：  135

供应商设备封装：  44-TSOP2 (10.2x18.4)

内存类型：  MRAM (Magnetoresistive RAM)

工作温度：  -40°C ~ 85°C

存储容量：  1M (128K x 8)

电压 - 电源：  3 V ~ 3.6 V

封装/外壳：  44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

接口：  Parallel

速度：  35ns

其他名称：  819-1000

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

数据总线宽度：  8 bit

系列：  MR0A08B

RoHS：  RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

电源电压 - 最大：  3.6 V

最低工作温度：  - 40 C

电源电压 - 最小：  3 V

最高工作温度：  + 85 C

访问时间：  35 ns

工作电流：  55 mA

访问时间（最大）：  35 ns

工作温度范围：  -40C to 85C

密度：  1048576 Bit

字长：  8 b

工作温度分类：  Industrial

电源电流：  70 mA

弧度硬化：  No

工作电源电压（典型值）：  3.3 V

工作电源电压（最小值）：  3 V

工作电源电压（最大值）：  3.6 V

包装类型：  TSOP-II