型号:  MRF1535NT1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  6 A

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Rds On-漏源导通电阻:  700 mOhms

增益:  13.5 dB

输出功率:  35 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-272-Wrap-6

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  2.74 mm

长度:  23.67 mm

工作频率:  520 MHz

系列:  MRF1535N

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  6.4 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  135 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.6 V

零件号别名:  935317208528

单位重量:  3 g