型号: MRF174
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 13 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 221-11-3
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 200 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 270 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
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